單室磁控濺射鍍膜儀設備用途：

用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備?？蓮V泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。

單室磁控濺射鍍膜儀技術參數：

真空室		圓型真空室，尺寸? 450×50mm
真空系統配置		復合分子泵、機械泵、閘板閥
極限壓力		≦6.67*10-5 Pa （經烘烤除氣后）
恢復真空時間		40 分鐘可達到6 .6*10-4 Pa 。（系統短時間暴露大氣并充入干燥氮氣后開始抽氣）
磁控靶組件		永磁靶三套；靶材尺寸?60mm（其中一個可濺射磁性材料）；各靶射頻灘射和直流裁射兼容；靶內水冷；三個靶可共同折向上面的樣品中心；靶與樣品距離 90~110mm可調；當直接向上濺射時，靶與樣品距離40~80mm可調
基片水冷加熱公轉臺	基片結構	基片加熱與水冷獨立工作，取下加熱爐可以換上水冷基片臺
	樣品尺寸	?30mm
	運動方式	基片可連續回轉，轉速 5~10 轉／分
	加熱	基片加熱*高溫度600℃±1℃
	基片負偏壓	－200V
氣路系統		質 量 流 量 控制器 2 路
計算機控制系統		控制樣品轉動，擋板開關，靶位確認等
可選配件6工位基片加熱公轉臺		拆下單基片水冷加熱臺可以換上該轉臺。可同時放置6片30mm的基片；6個工位中，其中一個工位安裝加熱爐，其余工位為自然冷卻基片臺；基片加熱*高溫度600℃ ±1℃
設備占地面積	主機	I300×800mm2
	電控柜	70×700m2

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