本設備為桌面型下置靶不銹鋼腔體單靶磁控濺射鍍膜儀，可用于金屬薄膜的制備，在電子領域、光學領域、特殊陶瓷制備等領域均有應用，也可實驗室SEM樣品制備。

本套配置采用高真空不銹鋼腔體，腔體設置帶擋板的石英觀察窗，便于實驗的觀察記錄；腔體設計真空性能優良，造型小巧，十分適合實驗室使用。

設備采用下置靶設計，和上置靶相比這種設計能夠更好的規避屏蔽罩因長時間鍍膜而產生的薄膜碎片脫落的問題，可以更有效的保護樣品。

同時設備配有旋轉加熱樣品臺，可以有效提高薄膜的均勻性和成膜的質量。整機采用模塊化設計，操作邏輯簡單，操作界面直觀，利于上手。

單靶磁控濺射鍍膜儀技術參數：

產品名稱	桌面型下置靶不銹鋼腔體單靶磁控濺射鍍膜儀
產品型號	CY-MSZ180X-I-DC-SS
樣品臺	外形尺寸	φ100mm
	加熱溫度	≦500℃
	可調轉速	≦20rpm
磁控靶槍	配一支兩英寸磁控靶，靶材尺寸:直徑50.8mm，厚度≦3mm
真空腔體	腔體尺寸	φ180mm X 215mm
	觀察窗口	全向透明
	腔體材料	SUU304不銹鋼
	開啟方式	上頂開式
真空系統	前級泵	低噪音雙極旋片泵
	分子泵	低噪音大抽速渦輪分子泵
	真空測量	復合真空計，量程:10-5~105Pa
	抽氣接口	KF16
	抽氣接口	KF40
	排氣接口	KF16
	系統真空	1.0×10-4Pa
	供電電源	AC 220V 50/60Hz
	抽氣速率	分子泵抽速600L/s，前級泵抽速1.1L/s
電源配置	電源數量	直流電源一套
	輸出功率	300W
其他參數	供電電壓	AC220V,50Hz
	整機功率	2kW
	整機尺寸	550mm X 350mm X400mm